收藏本站
  !                    
Top :
V GS
15.0 V
10
10
150 C
10
25 C
-55 C
1
0
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
o
o
o
10
10
0
-1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
4.0
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
3.5
3.0
2.5
V GS = 10V
V GS = 20V
1
10
0
2.0
150 ℃
25 ℃
1.5
※ Note : T J = 25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
1.0
0
3
6
9
12
15
18
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
2000
1500
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 160V
V DS = 400V
V DS = 640V
8
1000
500
0
C oss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
2
0
※ Note : I D = 6.6A
10
10
10
-1
0
1
0
5
10
15
20
25
30
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP7N80C / FQPF7N80C Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FQP7P06 MOSFET P-CH 60V 7A TO-220
FQP85N06 MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
FQP8N80C MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
FQP8N90C MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220
FQP8P10 MOSFET P-CH 100V 8A TO-220
FQP9N30 MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
FQP9P25 MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
FQPF10N50CF MOSFET N-CH 500V 10A TO-220F
相关代理商/技术参数
FQP7P06 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP7P06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220
FQP7P20 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP85N06 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQP85N06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220
FQP85N06TU 制造商:Fairchild 功能描述:60V/85A N-CH MOSFET
FQP8N25 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
FQP8N60C 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube